德国Fraunhofer HHI 激光部门聚焦短波红外（SWIR）铟磷（InP）基边发射激光二极管研发，覆盖 O 波段（1310 nm）、C 波段（1550 nm）等传统光通信波段，同时拓展 S 波段、L 波段等拓展波段；核心应用方向为光纤通信、数据中心互联与传感技术。本研究致力于创新新型器件结构、提升器件性能，并降低芯片工艺、测试及封装全流程成本。有源层体系包含体材料铟镓砷磷（Bulk-InGaAsP）、量子阱铟镓砷磷（QW-InGaAsP）、量子阱铟镓铝砷（QW-InGaAlAs）体系，以及近年新兴的量子点（QD）结构。

德国Fraunhofer HHI 激光部门团队持续开展研发、设计与流片制备工作，研究方向涵盖：

1. 28~200 Gb/s 直调电吸收调制激光器（EML）

2. 28~100 Gb/s 直调分布式反馈激光器（DFB）

3. 最高输出 200 mW 高功率单模 DFB 激光器

4. 连续光输出 5 W 高功率宽面（BA）法布里 - 珀罗（FP）激光器

5. 外腔激光器专用增益芯片

6. 低噪声、高功率半导体光放大器（SOA）

7. 适配硅基、氮化硅、铌酸锂绝缘衬底、聚合物光子集成芯片（PIC）的 InP 器件，采用倒装芯片混合集成或微转印工艺实现异质集成

8. 可作为光频梳与脉冲光源的锁模激光器（MLL）

所有器件均依托德国Fraunhofer HHI 自有 InP 完整工艺产线完成全流程制备。实验室配备全自动巴条测试系统，用于器件表征与芯片分选；封装后的器件可完成全套激光关键参数测试，包括输出光功率、远场光斑、模式增益、光损耗、相对强度噪声（RIN）、频率响应、啁啾、相位噪声及线宽等指标。

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