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硅光电探测器PD

探测器

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AeroDiode硅光电（300–1100nm）与 InGaAs（红外）高速低噪声光电探测器，提供光纤耦合 / 自由空间版本，具备 GHz带宽、超低暗电流与可切换增益模块，适配科研与工业检测场景。产品广泛应用于超快光子学、生物成像、激光雷达与量子技术，提供欧美双生产基地与 ISO9001质量体系保障。
HHI 单光子雪崩二极管模块 SPAD NFAD

探测器

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德国HHI基于铟镓砷（InGaAs）的单光子雪崩二极管（SPAD）和近红外雪崩二极管（NFAD）模块，适用于量子密钥分发（QKD）、量子传感应用。
HHI 65GHz 高功率光电探测器模块

探测器

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德国HHI 65GHz 高速光电探测器模块，应用于：微波光子学、光纤无线电、相控阵天线、精密频率产生、光子信道化
HHI 100GHz 平衡光电探测器

探测器

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德国弗劳恩霍夫HHI研究所的100GHz 高速平衡光电探测器模块 应用： 1T/bs 以上相干通信、测试测量系统、微波光子学
HHI 145GHz 光电探测器模块

探测器

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德国弗劳恩霍夫HHI研究所的高速光电探测器模块 应用： 1T/bs 以上脉冲幅度调制（PAM）数据通信、电信、微波光子学、测试测量系统
扩展型铟镓砷光电二极管（Extended InGaAs）

探测器

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德国弗劳恩霍夫HHI 扩展型铟镓砷光电二极管（Extended InGaAs）,低噪声、高量子效率的正面入射光电二极管是短波红外（SWIR）传感应用的核心器件。标准铟镓砷（InGaAs）光电二极管工作波段为 820 nm～1650 nm；扩展型铟镓砷（Extended InGaAs）器件的吸收波长上限可拓展至 2500 nm。
无TEC制冷型单光子雪崩二极管（SPAD）

探测器

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韩国Wooriro 铟镓砷 / 磷化铟盖革模式雪崩光电二极管，适配 1000 -1600nm 工作波段，支持 10 MHz -1 GHz 门控频率工作。 应用领域：单光子计数、量子加密、光时域反射仪、激光测距仪、量子物理基础研究、量子密钥分发、单光子探测器
负反馈雪崩二极管（NFAD 1000-1600nm）

探测器

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韩国Wooriro内置半导体制冷器（TEC）型负反馈雪崩二极管（NFAD），提供4种封装，覆盖1000-1600nm：TO-8 free spacemini-flatTO-8 SMF-28单模尾纤TO-8 MM多模尾纤
O波段 56GBd DFB+InP MZM 调制器

调制器

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德国Fraunhofer HHI O波段 56GBd DFB+InP MZM 调制器，是面向 O 波段光通信系统的高精度调制光源组件。该马赫 - 曾德尔MZM调制器单片集成 DFB 激光器，可对 1280 nm–1340 nm 波段光信号实现高精度幅度与相位调制。器件调制效率高、线性度优异，适用于各类光传输场景。
O波段 56GBd InP MZM 调制器(TEC制冷)

调制器

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德国Fraunhofer HHI O波段 56GBd InP MZM 调制器(TEC制冷)，面向 O 波段超高速传输速率的高性能调制器件。这款 O 波段磷化铟（InP）马赫 - 曾德尔调制器（MZM）最高支持 56GBd 光传输速率，拥有大调制带宽、零啁啾特性，并集成半导体制冷器（TEC），非常适用于高速光通信系统。
O波段 100GBd InP MZM 调制器

调制器

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德国Fraunhofer HHI O波段 100GBd InP MZM 调制器, 1280-1340nm，可集成于各类通信设备的超高速调制芯片。这款 O 波段磷化铟（InP）马赫 - 曾德尔调制器（MZM）最高支持 100GBd 光信号调制，采用独特行波电极结构，具备大调制带宽、零啁啾特性。
C波段 56GBd InP MZM 调制器(TEC制冷)

调制器

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德国Fraunhofer HHI C波段 56GBd InP MZM 调制器 (TEC制冷), 1527-1568nm。面向 C 波段通信系统的高速调制器件。这款 C 波段磷化铟（InP）马赫 - 曾德尔调制器（MZM）可实现最高 56GBaud 速率的光信号调制，是高性能调制解决方案。器件集成半导体制冷器（TEC），保障稳定工作与优异性能；兼具高调制效率、优质信号质量，适用于光纤光网络与高速传输系统等通信场景。器件采用独特行波电极结构，具备高带宽、零啁啾的特性。
薄膜铌酸锂光子集成芯片 TFLN PIC

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德国Fraunhofer HHI 薄膜铌酸锂光子集成芯片 TFLN PIC，应用：电信骨干网、数据中心光互联光学传感量子计算
混合集成专用磷化铟增益芯片（HHI RSOA）

激光器

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德国Fraunhofer HHI 混合集成专用磷化铟增益芯片（RSOA），外腔激光器专用增益芯片（RSOA），是面向通信、传感领域混合集成应用的高性能磷化铟增益芯片。 应用：电信与数据中心光通信光学传感
直调激光器（DML）

激光器

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德国Fraunhofer HHI 非制冷 40Gbps 直调激光器（PPR 结构）、制冷型 106Gbps 直调激光器阵列。覆盖波段：标准 O 波段，同时可定制 C 波段版本。 应用： 电信、数据中心光通信模拟光子发射系统气体光学传感
锁模激光器（MLL）

激光器

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德国Fraunhofer HHI 锁模激光器 MLL，高性能掩埋异质结构 InAs/InP 量子点、InGaAsP/InP 量子阱锁模激光器，可用作光频梳与脉冲光源。
电吸收调制激光器（EML）

激光器

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德国Fraunhofer HHI 电吸收调制激光器（EML），支持 O 波段、C 波段、L 波段工作波长调制带宽 >50 GHz，支持 100 Gb/s NRZ、200 Gb/s PAM4 高速信号传输，芯片尺寸小巧，提供单颗芯片、4 通道阵列、8 通道阵列多种规格，可选片上单片集成光放大区，实现高输出功率，支持全参数定制开发。
高速差分电吸收调制激光器（EML）

激光器

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德国Fraunhofer HHI 高速差分电吸收调制激光器（EML），可实现超高速数据传输的紧凑型光发射芯片，适用于电信与高速数据中心通信。 HHI研究所面向下一代电信、数据中心系统研发高速电吸收调制激光器（EML）。该器件将激光发射单元与适配差分驱动的电吸收调制器单片集成，调制带宽>50GHz，在 O、C、L 全波段均可支持最高 100 Gb/s NRZ、200 Gb/s PAM4 信号传输。 小巧的芯片尺寸与阵列化规格，可提供具备可量产拓展性、高性能的光发射解决方案。
混合集成专用磷化铟InP发射光源

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德国Fraunhofer HHI, 混合集成专用磷化铟InP发射光源，适用于电信、数据中心各类光学系统集成的紧凑型激光光源方案。这款支持横向、纵向集成的磷化铟发射光源性能优异，芯片集成模斑锥形转换器，可实现极低光耦合损耗；兼容绝缘体上硅（SOI）、氮化硅（SiN）、绝缘体上铌酸锂（LNOI）、玻璃、聚合物等多种光子芯片平台。客户可按需定制蚀刻腔面及各类适配化设计。
高功率宽面（BA）激光器

激光器

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德国Fraunhofer HHI, 高功率宽面（BA）激光器，面向医疗设备、测距与传感领域的人眼安全型高功率激光二极管。该系列高功率宽面激光器典型工作波长 1550 nm，最大输出光功率可达 4.9 W。器件采用磷化铟（InP）材料结构，可按需定制激光器几何结构、发射波长，也可选配波长稳定功能。
O波段 InP BH DFB高功率激光器

激光器

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德国Fraunhofer HHI O波段 InP BH DFB高功率激光器
高功率单模激光器（DFB）

激光器

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德国Fraunhofer HHI 高功率单模激光器，面向通信与传感应用的O波段磷化铟InP掩埋异质结构分布式反馈DFB激光器。该系列高功率单模激光器，兼具高输出功率与优良光束质量，边模抑制比高、相对强度噪声低、光学线宽窄。器件内部集成DFB激光器与半导体光放大器（SOA），兼具波长稳定特性与高光输出功率，适用于长距离传输场景。可按需定制中心波长与腔面镀膜。
半导体光放大器（SOA）

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德国Fraunhofer HHI 半导体光放大器（SOA）,面向电信、数据中心与光学传感应用的高性能磷化铟半导体光放大器。德国Fraunhofer HHI 自研掩埋异质结构半导体光放大器 SOA，可工作于 O 波段与 C 波段。产品提供 P 面正装、倒装芯片、单颗裸片、多通道阵列多种构型；支持定制中心波长、偏振敏感度、腔面镀膜等参数。

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