铟镓砷光电二极管（InGaAs）与扩展型铟镓砷光电二极管（Extended InGaAs）

产品概览

适用于传感领域的高量子效率正面入射型铟镓砷光电二极管

技术原理

低噪声、高量子效率的正面入射光电二极管是短波红外（SWIR）传感应用的核心器件。标准铟镓砷（InGaAs）光电二极管工作波段为 820 nm～1650 nm；扩展型铟镓砷（Extended InGaAs）器件的吸收波长上限可拓展至 2500 nm。

该光电二极管芯片依托成熟磷化铟（InP）工艺平台，由海因里希 - 赫兹研究所HHI 自有晶圆产线制造，工艺通过 Telcordia 通信可靠性认证与航天级可靠性认证。支持芯片定制开发，可匹配客户应用所需的最优性能指标。

产品特性

• 光电二极管低噪声、高响应度

• 可选单管、分段式光电管或阵列结构

• 支持背面入射、正面入射两种方案

• 背面入射型光电二极管可集成透镜（选配）

• 倒装芯片键合或引线键合两种封装工艺

• 可零偏压工作

应用场景

• 短波红外传感与红外成像

定制化选项

• 光敏孔径直径最大可达数mm

• 量子效率最高可达 99%

• 平面型、台面型两种光电二极管结构可选

• 单管、分段式光电管、阵列多种结构

• 分段管与阵列可选用共阴极或隔离阴极设计

• 支持背面入射、正面入射

• 背面入射器件可集成透镜

• 倒装芯片键合、引线键合任选

• 可定制电极间距与焊盘布局

• 同时提供雪崩光电二极管（APD）、单光子雪崩二极管（SPAD）产品