Lumina 推出一套标准化电光调制器产品库,覆盖4 个基准工作波长。493 nm 面向锶离子阱量子系统与可见光生物光子学;780 nm 适配铷原子系统及原子钟;1064 nm 用于传感、激光雷达与量子网络;1550 nm 服务通信波段量子网络、OCT,兼容传统光通信产业生态。
Lumina 推出一套标准化电光调制器产品库,覆盖4 个基准工作波长。493 nm 面向锶离子阱量子系统与可见光生物光子学;780 nm 适配铷原子系统及原子钟;1064 nm 用于传感、激光雷达与量子网络;1550 nm 服务通信波段量子网络、OCT,兼容传统光通信产业生态。
钽酸锂强度与相位电光调制器 493-1550 nm | 薄膜铌酸锂是十分优异的技术平台,已在通信波段应用中占据主流地位。但其材料特性存在难以根治的固有短板:紫外波段透光窗口收窄;可见光及高功率条件下易产生光折变损伤;还有棘手的直流偏置漂移问题,致使每款调制器都必须搭配复杂的补偿电路。Lumina 采用薄膜钽酸锂平台,这是一类同系铁电晶体,具备截然不同的材料特性,可从根源上解决上述各项缺陷。 钽酸锂的低双折射特性 钽酸锂的低双折射特性让该平台的材料物理特性直接体现在器件性能上。凭借平台整体极低的偏振模色散,其调制器在 1064 nm 下消光比大于 55 dB;在 270 nm‑5.5 μm 全工作波段内,平均消光比可达 30 dB。 同样凭借低双折射特性,光在多模波导弯曲结构中可稳定传输,模式串扰(模式跳变)极小。系统设计师在设计复杂光子电路布线时拥有更高自由度,且不会损害信号完整性。在晶圆层面,该特性还能提升器件间一致性,直接改善生产良率,保障不同批次产品的系统性能稳定、可预期。 优异的直流偏置稳定性 → 系统更精简、可靠性更高 Lumina 调制器直流偏置漂移优于 0.1 dB / 小时。对系统设计人员而言,这意味着可以省去主动偏置控制环路:元器件更少、功耗更低、固件逻辑简化,同时大幅提升长期可靠性。对于设备使用方,也不再需要每日处理校准漂移问题。
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标准电光调制器产品 EOM 型号 | 应用 | 核心指标 |
电光调制器 493 nm LM-EOM493 / LM-EPM493 |
| 提供强度 (AM) 或相位 (PM) 调制器 低驱动电压:VπL = 0.3 V・cm 单芯片最高 64 通道 (AM) 或 128 通道 (PM);最多 8 颗芯片封装集成 AM 端口配置:1×1、1×2、2×1 或 2×2 射频带宽标配 5 GHz;可选 20 GHz、50 GHz 光漂移<0.5 dB / 小时 消光比标配 20 dB;可选 30 dB、60 dB 标配片上 50 Ω 端接 (AM)可按需提供独立直流偏置电极,无需外接偏置器(bias tee) 垂直(光栅)耦合或端面耦合 裸芯片或带 SMA 射频接口的金盒封装 |
电光调制器 532 nm LM-EOM532 / LM-EPM532 |
| 提供强度 (AM) 或相位 (PM) 调制器 VπL = 0.32 V·cm 单芯片最高 64 通道 (AM) 或 128 通道 (PM);最多 8 颗芯片封装集成 AM 端口配置:1×1、1×2、2×1 或 2×2 射频带宽标配 5 GHz;可选 20 GHz、50 GHz 光漂移<0.5 dB / 小时 消光比标配 20 dB;可选 30 dB、60 dB 标配片上 50 Ω 端接 (AM)可按需提供独立直流偏置电极,无需外接偏置器(bias tee) 垂直(光栅)耦合或端面耦合 裸芯片或带 SMA 射频接口的金盒封装 |
电光调制器 780 nm LM-EOM780 / LM-EPM780 |
| 提供强度 (AM) 或相位 (PM) 调制器 VπL = 0.65 V·cm 单芯片最高 64 通道 (AM) 或 128 通道 (PM);最多 8 颗芯片封装集成 AM 端口配置:1×1、1×2、2×1 或 2×2 射频带宽标配 5 GHz;可选 20 GHz、50 GHz 光漂移<0.3 dB / 小时 消光比标配 20 dB;可选 30 dB、60 dB 标配片上 50 Ω 端接 (AM)可按需提供独立直流偏置电极,无需外接偏置器(bias tee) 垂直(光栅)耦合或端面耦合 裸芯片或带 SMA 射频接口的金盒封装 |
电光调制器 1064 nm LM-EOM1064 / LM-EPM1064 |
| 敬请与我们联系 📞13545051195 |
电光调制器 1550 nm LM-EOM1550 / LM-EPM1550 |
| 提供强度 (AM) 或相位 (PM) 调制器 VπL = 3.4 V·cm 单芯片最高 64 通道 (AM) 或 128 通道 (PM);最多 8 颗芯片封装集成 AM 端口配置:1×1、1×2、2×1 或 2×2 射频带宽标配 5 GHz;可选 20 GHz、50 GHz 光漂移<0.1 dB / 小时 消光比标配 20 dB;可选 30 dB、60 dB 标配片上 50 Ω 端接 (AM)可按需提供独立直流偏置电极,无需外接偏置器(bias tee) 垂直(光栅)耦合或端面耦合 裸芯片或带 SMA 射频接口的金盒封装 |
*详细指标、规格,欢迎咨询 📞13545051195