面向通信与量子计算的薄膜铌酸锂光子集成芯片 TFLN PIC

技术背景

薄膜铌酸锂光子集成芯片是下一代电信、数据中心光链路及量子应用的核心研究方向。其透光光谱覆盖 450–4500nm 超宽区间，同样可支撑各类传感场景落地。芯片内置行波结构高速相位调制器，兼具高射频带宽与低半波电压（Vπ）特性。平台配套标准化功能单元，包含热光相位移相器、片上电阻、光纤模斑转换器等，可按需定制专用光子集成芯片（PIC）。 所有光子芯片均由弗劳恩霍夫海因里希 - 赫兹研究所（Fraunhofer HHI）自有、通过 ISO9001 认证的晶圆工艺产线完成制备。

标准化基础功能单元

• 高速相位调制器

• 热光相位移相器

• 片上集成电阻

• 光纤模斑转换器

• 低损耗光波导

• 多模干涉耦合器（MMI）

• 定向耦合器

应用领域

1. 电信骨干网、数据中心光互联

2. 光学传感

3. 量子计算