德国HHI 电吸收调制激光器（EML）

面向电信与数据中心直检传输方案的高速电吸收调制激光器

该类 EML 单片集成激光发射单元与电吸收调制器。器件调制带宽超过 50 GHz，可在 O、C、L 全波段实现最高 100 Gbit/s NRZ 信号、200 Gbit/s PAM4 信号传输。 提供多种器件版本可选，例如内置半导体光放大器（SOA）型号、多通道阵列型号。

产品概览

适配直检传输架构的高速铟镓铝砷 InGaAlAs EML 电吸收调制激光发射芯片

产品特性

• 支持 O 波段、C 波段、L 波段工作波长

• 调制带宽 >50 GHz

• 支持 100 Gb/s NRZ、200 Gb/s PAM4 高速信号传输

• 芯片尺寸小巧

• 提供单颗芯片、4 通道阵列、8 通道阵列多种规格

• 可选片上单片集成光放大区，实现高输出功率

• 常规工作温度：50℃

• 宽温工作区间：20℃～85℃

• 支持全参数定制开发

应用领域

• 数据中心、电信骨干光传输

• 模拟光子发射系统

• 有线电视光传输（CATV）

器件类型

• 小型化单颗 EML 芯片，尺寸 360 μm × 250 μm

• 集成半导体光放大器（SOA）的 EML 芯片

• 多通道 EML 阵列，内置片上射频布线

典型性能参数

• 腔面输出光功率＞10 mW

• 50℃工况下调制带宽＞50 GHz

输出特性