混合集成专用磷化铟InP发射光源

适用于电信、数据中心各类光学系统集成的紧凑型激光光源方案。这款支持横向、纵向集成的磷化铟发射光源性能优异，芯片集成模斑锥形转换器，可实现极低光耦合损耗；兼容绝缘体上硅（SOI）、氮化硅（SiN）、绝缘体上铌酸锂（LNOI）、玻璃、聚合物等多种光子芯片平台。客户可按需定制蚀刻腔面及各类适配化设计。

产品概览

适配光子多芯片集成方案的磷化铟InP光源芯片

产品特性

• 支持倒装芯片装配结构

• 兼容横向、纵向集成（二维 / 三维光子集成）

• 集成模斑锥形转换器，降低光耦合损耗、放宽光路对准容差

• 支持横向、纵向高精度定位结构设计

• 可按需定制蚀刻腔面

• 可根据客户各类光子芯片平台灵活定制器件参数

应用领域

• 数据中心、电信光通信

• 光学传感

适配无源光子平台

• 绝缘体上硅（SOI）

• 氮化硅（SiN）

• 绝缘体上铌酸锂（LNOI，薄膜铌酸锂）

• 玻璃波导平台

• 聚合物光子平台

功能

• 高功率 DFB 激光器

• 高功率增益芯片

• 高速增益芯片

• 半导体光放大器（SOA）

结构规格

• 横向发射芯片、纵向发射芯片两种构型

• 单颗裸芯片、多通道阵列芯片可选

示例

示例：磷化铟芯片与绝缘体上硅波导之间高容差低损耗对接耦合