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混合集成专用磷化铟增益芯片（HHI RSOA）

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德国Fraunhofer HHI 混合集成专用磷化铟增益芯片（RSOA），外腔激光器专用增益芯片（RSOA），是面向通信、传感领域混合集成应用的高性能磷化铟增益芯片。 应用：电信与数据中心光通信光学传感
直调激光器（DML）

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德国Fraunhofer HHI 非制冷 40Gbps 直调激光器（PPR 结构）、制冷型 106Gbps 直调激光器阵列。覆盖波段：标准 O 波段，同时可定制 C 波段版本。 应用： 电信、数据中心光通信模拟光子发射系统气体光学传感
锁模激光器（MLL）

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德国Fraunhofer HHI 锁模激光器 MLL，高性能掩埋异质结构 InAs/InP 量子点、InGaAsP/InP 量子阱锁模激光器，可用作光频梳与脉冲光源。
电吸收调制激光器（EML）

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德国Fraunhofer HHI 电吸收调制激光器（EML），支持 O 波段、C 波段、L 波段工作波长调制带宽 >50 GHz，支持 100 Gb/s NRZ、200 Gb/s PAM4 高速信号传输，芯片尺寸小巧，提供单颗芯片、4 通道阵列、8 通道阵列多种规格，可选片上单片集成光放大区，实现高输出功率，支持全参数定制开发。
高速差分电吸收调制激光器（EML）

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德国Fraunhofer HHI 高速差分电吸收调制激光器（EML），可实现超高速数据传输的紧凑型光发射芯片，适用于电信与高速数据中心通信。 HHI研究所面向下一代电信、数据中心系统研发高速电吸收调制激光器（EML）。该器件将激光发射单元与适配差分驱动的电吸收调制器单片集成，调制带宽>50GHz，在 O、C、L 全波段均可支持最高 100 Gb/s NRZ、200 Gb/s PAM4 信号传输。 小巧的芯片尺寸与阵列化规格，可提供具备可量产拓展性、高性能的光发射解决方案。
混合集成专用磷化铟InP发射光源

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德国Fraunhofer HHI, 混合集成专用磷化铟InP发射光源，适用于电信、数据中心各类光学系统集成的紧凑型激光光源方案。这款支持横向、纵向集成的磷化铟发射光源性能优异，芯片集成模斑锥形转换器，可实现极低光耦合损耗；兼容绝缘体上硅（SOI）、氮化硅（SiN）、绝缘体上铌酸锂（LNOI）、玻璃、聚合物等多种光子芯片平台。客户可按需定制蚀刻腔面及各类适配化设计。
高功率宽面（BA）激光器

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德国Fraunhofer HHI, 高功率宽面（BA）激光器，面向医疗设备、测距与传感领域的人眼安全型高功率激光二极管。该系列高功率宽面激光器典型工作波长 1550 nm，最大输出光功率可达 4.9 W。器件采用磷化铟（InP）材料结构，可按需定制激光器几何结构、发射波长，也可选配波长稳定功能。
O波段 InP BH DFB高功率激光器

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德国Fraunhofer HHI O波段 InP BH DFB高功率激光器
高功率单模激光器（DFB）

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德国Fraunhofer HHI 高功率单模激光器，面向通信与传感应用的O波段磷化铟InP掩埋异质结构分布式反馈DFB激光器。该系列高功率单模激光器，兼具高输出功率与优良光束质量，边模抑制比高、相对强度噪声低、光学线宽窄。器件内部集成DFB激光器与半导体光放大器（SOA），兼具波长稳定特性与高光输出功率，适用于长距离传输场景。可按需定制中心波长与腔面镀膜。
半导体光放大器（SOA）

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德国Fraunhofer HHI 半导体光放大器（SOA）,面向电信、数据中心与光学传感应用的高性能磷化铟半导体光放大器。德国Fraunhofer HHI 自研掩埋异质结构半导体光放大器 SOA，可工作于 O 波段与 C 波段。产品提供 P 面正装、倒装芯片、单颗裸片、多通道阵列多种构型；支持定制中心波长、偏振敏感度、腔面镀膜等参数。

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